TK18A50DQ,M
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
TK18A50DQ,M中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 230 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 500 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SC-67
外形尺寸
封装 SC-67
符合标准
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC版本 2015/06/15
TK18A50DQ,M引脚图与封装图
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在线购买TK18A50DQ,M
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK18A50DQ,M | Toshiba 东芝 | TOSHIBA TK18A50DQ,M 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号TK18A50DQ,M
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TK18A50DQ,M 品牌： Toshiba 东芝 封装： SC-67 N-Channel | 当前型号 | TOSHIBA TK18A50DQ,M 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： STP20NM50FP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 550V 20A 250mohms 1.48nF | 功能相似 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | TK18A50DQ,M和STP20NM50FP的区别 |