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TPS2101DBVT

TPS2101DBVT

TI(德州仪器) 主动器件

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC OR CTRLR SRC SELECT SOT23-5


立创商城:
TPS2101DBVT


德州仪器TI:
2.7-V to 4-V, 250-mΩ, 0.5-A, 1.3-Ω, 0.01-A power mux with active high enable and comm


欧时:
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


艾睿:
There has never before been an easier time to connect a load to a power supply in your electronic circuit with this high side TPS2101DBVT power switch by Texas Instruments. This charge controller has single output. It features 0.25|1.3 Ohm switch on resistance. This device has a maximum propagation delay time of 370000 ns and a maximum power dissipation of 309 mW. This charge controller has an input voltage of 2.7 to 4 V. Its maximum power dissipation is 309 mW. This device has a supply current of 0.01 mA and a minimum output current of 0.5Max A. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This charge controller has an operating temperature range of -40 °C to 70 °C.


安富利:
Power Switch Hi Side 0.5A 5-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 0.5A 5-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Power Switch Hi Side 0.5A 5-Pin SOT-23 T/R


TPS2101DBVT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V max

输出接口数 1

输入电压DC 4.00 V

输出电流 500 mA

供电电流 10 µA

耗散功率 309 mW

输入电压Max 4 V

输入电压Min 2.7 V

输出电流Max 500mA, 10mA

输出电流Min 0.5 A

输入数 2

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 309 mW

电源电压 2.7V ~ 4V

电源电压Max 4 V

电源电压Min 2.7 V

输入电压 2.7V ~ 4V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-23-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.15 mm

封装 SOT-23-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 手持/移动设备

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TPS2101DBVT引脚图与封装图
TPS2101DBVT引脚图

TPS2101DBVT引脚图

TPS2101DBVT封装图

TPS2101DBVT封装图

TPS2101DBVT封装焊盘图

TPS2101DBVT封装焊盘图

在线购买TPS2101DBVT
型号 制造商 描述 购买
TPS2101DBVT TI 德州仪器 MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。 ### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments 搜索库存
替代型号TPS2101DBVT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPS2101DBVT

品牌: TI 德州仪器

封装: SOT-23-5 5Pin

当前型号

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

当前型号

型号: TPS2101DBVR

品牌: 德州仪器

封装: SOT-23-5 4V 5Pin

完全替代

电源开关 IC - 配电 Dual In/Single Out MOSFET

TPS2101DBVT和TPS2101DBVR的区别

型号: TPS2101DBVRG4

品牌: 德州仪器

封装:

类似代替

2.7-4V Dual In/Single Out MOSFET, 0.5A Main/0.01A Aux Input, Act-Hi Enable, Comm. Temp. 5-SOT-23 -40℃ to 85℃

TPS2101DBVT和TPS2101DBVRG4的区别