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TPS2812DG4

TPS2812DG4

TI(德州仪器) 主动器件

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

Transistors are a crucial component but for high powered designs this power driver by Texas Instruments is a crucial component. This device has a maximum propagation delay time of 50 ns and a maximum power dissipation of 730 mW. Its maximum power dissipation is 730 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4 V and a maximum of 14 V.

TPS2812DG4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 14ns, 15ns

输出接口数 2

输出电压 0.14.5 V

输出电流 2 A

通道数 2

耗散功率 0.73 W

上升时间 35 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 730 mW

电源电压 4V ~ 14V

输入电压 8.40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPS2812DG4引脚图与封装图
TPS2812DG4引脚图

TPS2812DG4引脚图

TPS2812DG4封装图

TPS2812DG4封装图

TPS2812DG4封装焊盘图

TPS2812DG4封装焊盘图

在线购买TPS2812DG4
型号 制造商 描述 购买
TPS2812DG4 TI 德州仪器 双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS 搜索库存
替代型号TPS2812DG4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPS2812DG4

品牌: TI 德州仪器

封装: Surface 4V 8Pin

当前型号

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

当前型号

型号: TPS2812DRG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin

完全替代

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TPS2812DG4和TPS2812DRG4的区别

型号: TPS2812D

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 4V 2A 8Pin

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型号: TPS2812DR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 4V 8Pin

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