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TPS51601ADRBR

TPS51601ADRBR

TI(德州仪器) 电子元器件分类

双通道高效率同步MOSFET驱动器 Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SON(3x3)


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON


立创商城:
半桥 MOSFET


德州仪器TI:
30-V half bridge gate driver with dead-time control


艾睿:
The TPS51601ADRBR power driver from Texas Instruments can provide management of your transistors and switches. Its typical operating supply voltage is 5 V. This device has a maximum propagation delay time of 50typ ns. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 105 °C. This device has a typical operating supply voltage of 5 V. Its minimum operating supply voltage of 4.5 V, while its maximum is 5.5 V.


安富利:
MOSFET DRVR 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R


Chip1Stop:
Driver 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R


Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R


Win Source:
IC MOSFET DRVR SYNC DUAL 8SON


TPS51601ADRBR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 15ns, 10ns

输出接口数 2

上升时间 25 ns

下降时间 25 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 25 ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON EP-8

外形尺寸

封装 VSON EP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TPS51601ADRBR引脚图与封装图
TPS51601ADRBR引脚图

TPS51601ADRBR引脚图

TPS51601ADRBR封装图

TPS51601ADRBR封装图

TPS51601ADRBR封装焊盘图

TPS51601ADRBR封装焊盘图

在线购买TPS51601ADRBR
型号 制造商 描述 购买
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替代型号TPS51601ADRBR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPS51601ADRBR

品牌: TI 德州仪器

封装:

当前型号

双通道高效率同步MOSFET驱动器 Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver

当前型号

型号: TPS51601ADRBT

品牌: 德州仪器

封装:

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双通道高效率同步MOSFET驱动器 Dual High Efficiency Synchronous MOSFET Driver

TPS51601ADRBR和TPS51601ADRBT的区别