THS6032IGQER
TI(德州仪器)
电子元器件分类
THS6032IGQER中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
耗散功率 3300 mW
输入补偿漂移 10.0 µV/K
转换速率 1.20 kV/μs
增益频宽积 100 MHz
可用通道 D
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 100 MHz
耗散功率Max 3300 mW
共模抑制比Min 64 dB
电源电压 5V ~ 16V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 80
封装 VFBGA-80
外形尺寸
封装 VFBGA-80
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
THS6032IGQER引脚图与封装图 
THS6032IGQER引脚图
THS6032IGQER封装图
THS6032IGQER封装焊盘图
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