TLV2432QDRQ1
TI(德州仪器)
主动器件
TLV2432QDRQ1中文资料参数规格
技术参数
供电电流 200 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 725 mW
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 500 kHz
转换速率 250 mV/μs
增益频宽积 550 kHz
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 70 dB
电源电压Max 10 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
TLV2432QDRQ1引脚图与封装图 
TLV2432QDRQ1封装图
TLV2432QDRQ1封装焊盘图
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