供电电流 290 µA
电路数 1
通道数 1
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K
带宽 1.80 MHz
转换速率 3.40 V/μs
增益频宽积 2 MHz
输入补偿电压 500 µV
输入偏置电流 4 pA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLE2061ACDR引脚图
TLE2061ACDR封装图
TLE2061ACDR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TLE2061ACDR | TI 德州仪器 | 神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TLE2061ACDR 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC-8 1.8MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | 神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | 当前型号 | |
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型号: TLE2061ACD 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 2MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLE2061ACD 运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚 | TLE2061ACDR和TLE2061ACD的区别 |