THS4304DR
TI(德州仪器)
主动器件
THS4304DR中文资料参数规格
技术参数
输出电流 100 mA
供电电流 18 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1020 mW
输入补偿漂移 5.00 µV/K
带宽 870 MHz
转换速率 790 V/μs
增益频宽积 870 MHz
输入补偿电压 500 µV
输入偏置电流 7 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 3 GHz
耗散功率Max 1020 mW
共模抑制比Min 80 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
THS4304DR引脚图与封装图 
THS4304DR引脚图
THS4304DR封装图
THS4304DR封装焊盘图
替代型号THS4304DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4304DR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 3GHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | 宽带运算放大器器 Wideband Operational Amplifier | 当前型号 |
| 型号： THS4304D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 3GHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS4304D. 运算放大器, 单路, 870 MHz, 1个放大器, 830 V/µs, 2.7V 至 5V, SOIC, 8 引脚 | THS4304DR和THS4304D的区别 |
| 型号： THS4304DG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 790V/us 1Channel | 类似代替 | 高速运算放大器 Wideband Operational Amplifier | THS4304DR和THS4304DG4的区别 |