THS3112IDR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
THS3112IDR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 4.9 mA
电路数 2
带宽 110 MHz
转换速率 1.55 kV/μs
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 330 nA
3dB带宽 110 MHz
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS3112IDR引脚图与封装图 
THS3112IDR引脚图
THS3112IDR封装图
THS3112IDR封装焊盘图
在线购买THS3112IDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS3112IDR | TI 德州仪器 | OP Amp Dual Current Fdbk ±15V/30V 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号THS3112IDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS3112IDR 品牌： TI 德州仪器 封装： 8Pin 1.55kV/us | 当前型号 | OP Amp Dual Current Fdbk ±15V/30V 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： THS3112ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.55kV/us 2Channel | 完全替代 | 双路、低噪声、高输出电流、110MHz 放大器 8-SOIC -40 to 85 | THS3112IDR和THS3112ID的区别 |
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