THS3111CDR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
THS3111CDR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 4.8 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1050 mW
带宽 100 MHz
转换速率 1.30 kV/μs
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 1.5 µA
可用通道 S
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
3dB带宽 100 MHz
耗散功率Max 1050 mW
共模抑制比Min 62 dB
电源电压Max 30 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
THS3111CDR引脚图与封装图 
THS3111CDR引脚图
THS3111CDR封装图
THS3111CDR封装焊盘图
在线购买THS3111CDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS3111CDR | TI 德州仪器 | 高速运算放大器 Single Lo-Noise Hi-Vltg Crnt-Feedbck | 搜索库存 |
替代型号THS3111CDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS3111CDR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.3kV/us 1Channel | 当前型号 | 高速运算放大器 Single Lo-Noise Hi-Vltg Crnt-Feedbck | 当前型号 |
| 型号： THS3111CD 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 100MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 单路低噪声高压电流反馈放大器 8-SOIC 0 to 70 | THS3111CDR和THS3111CD的区别 |
| 型号： THS3111CDG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 100MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 单路低噪声高压电流反馈放大器 8-SOIC 0 to 70 | THS3111CDR和THS3111CDG4的区别 |
| 型号： THS3111CDRG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 1Channel 8Pin | 类似代替 | 高速运算放大器 Single Lo-Noise Hi-Vltg Crnt-Feedbck | THS3111CDR和THS3111CDRG4的区别 |