THS4631DE4
TI(德州仪器)
主动器件
THS4631DE4中文资料参数规格
技术参数
供电电流 11.5 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1.1 W
共模抑制比 86 dB
输入补偿漂移 2.50 µV/K
带宽 210 MHz
转换速率 1.00 kV/μs
增益频宽积 210 MHz
输入补偿电压 260 µV
输入偏置电流 50 pA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 325 MHz
增益带宽 210 MHz
耗散功率Max 1100 mW
共模抑制比Min 86 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4631DE4引脚图与封装图 
THS4631DE4引脚图
THS4631DE4封装图
THS4631DE4封装焊盘图
在线购买THS4631DE4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4631DE4 | TI 德州仪器 | 高速 FET 输入运算放大器 8-SOIC -40 to 85 | 搜索库存 |
替代型号THS4631DE4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4631DE4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 325MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | 高速 FET 输入运算放大器 8-SOIC -40 to 85 | 当前型号 |
| 型号： THS4631DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel | 完全替代 | 高电压，高压摆率，宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | THS4631DE4和THS4631DR的区别 |
| 型号： THS4631D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 325MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS4631D.. 芯片, 高速运算放大器, 210MHZ, 1000V/uS, SOIC-8 | THS4631DE4和THS4631D的区别 |
| 型号： THS4631DDA 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 325MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS4631DDA 运算放大器, 单路, 210 MHz, 1个放大器, 1000 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚 | THS4631DE4和THS4631DDA的区别 |