供电电流 4.9 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 1.32 W
共模抑制比 63dB ~ 67dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K
带宽 110 MHz
转换速率 1.55 kV/μs
增益频宽积 103 MHz
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 330 nA
可用通道 D
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 110 MHz
耗散功率Max 1320 mW
共模抑制比Min 56 dB
电源电压Max 30 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS3112CD引脚图
THS3112CD封装图
THS3112CD封装焊盘图
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS3112CD 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.55kV/us 2Channel | 当前型号 | 双路、低噪声、高输出电流、110MHz 放大器 8-SOIC 0 to 70 | 当前型号 |
| 型号： THS3001ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 420MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS3001ID 运算放大器, 单路, 420 MHz, 1个放大器, 1700 V/µs, ± 4.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚 | THS3112CD和THS3001ID的区别 |
| 型号： THS3112ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.55kV/us 2Channel | 类似代替 | 双路、低噪声、高输出电流、110MHz 放大器 8-SOIC -40 to 85 | THS3112CD和THS3112ID的区别 |
| 型号： THS3112CDR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.55kV/us 2Channel | 类似代替 | 高速运算放大器 Dual Lo-Noise High Output Current | THS3112CD和THS3112CDR的区别 |
