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TLE2062ACDG4

TLE2062ACDG4

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  TLE2062ACDG4  运算放大器, 双路, 2 MHz, 2个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

The is a dual JFET-input high-output-drive Operational Amplifier doubles the bandwidth of the earlier generation TL06x and TL03x BiFET families without significantly increasing power consumption. Texas Instruments Excalibur process also delivers a lower noise floor than the TL06x and TL03x. On-chip zener trimming of offset voltage yields precision grades for DC-coupled applications. The TL206x device is pin-compatible with other BiFETs. BiFET operational amplifiers offer the inherently-higher input impedance of the JFET-input transistors, without sacrificing the output drive associated with bipolar amplifiers. This makes them better suited for interfacing with high-impedance sensors or very low-level AC signals. It also features inherently better AC response than bipolar or CMOS devices having comparable power consumption. The TLE206x family features a high-output-drive circuit capable of driving 100R loads at supplies as low as ±5V.

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On-chip offset voltage trimming for improved DC performance
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Lower noise floor than earlier generations of low-power BiFETs
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290µA/channel Typical low supply current
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6µV/°C Typical offset drift
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90dB Typical CMRR
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Green product and no Sb/Br
TLE2062ACDG4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 36.0 V

输出电流 ≤80 mA

供电电流 625 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 2 MHz

转换速率 3.40 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz

输入补偿电压 800 µV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 1.8 MHz

共模抑制比Min 65 dB

电源电压Max 18 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

TLE2062ACDG4引脚图与封装图
TLE2062ACDG4引脚图

TLE2062ACDG4引脚图

TLE2062ACDG4封装图

TLE2062ACDG4封装图

TLE2062ACDG4封装焊盘图

TLE2062ACDG4封装焊盘图

在线购买TLE2062ACDG4
型号 制造商 描述 购买
TLE2062ACDG4 TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  TLE2062ACDG4  运算放大器, 双路, 2 MHz, 2个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚 搜索库存
替代型号TLE2062ACDG4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLE2062ACDG4

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 2MHz 2Channel 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  TLE2062ACDG4  运算放大器, 双路, 2 MHz, 2个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

当前型号

型号: TLE2062CD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 2MHz 2Channel 8Pin

类似代替

JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

TLE2062ACDG4和TLE2062CD的区别

型号: TLE2062AID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 2MHz 2Channel 8Pin

类似代替

JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

TLE2062ACDG4和TLE2062AID的区别

型号: TLE2062ACD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 2MHz 2nA 2Channel 8Pin

类似代替

JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

TLE2062ACDG4和TLE2062ACD的区别