输出电流 110mA @5V
供电电流 16 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 1020 mW
共模抑制比 74 dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K
带宽 260 MHz
转换速率 1.80 kV/μs
增益频宽积 200 MHz
输入补偿电压 4 mV
输入偏置电流 4 µA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 260 MHz
耗散功率Max 1020 mW
共模抑制比Min 74 dB
电源电压Max 15V ~ 18V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4504DR引脚图
THS4504DR封装图
THS4504DR封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| THS4504DR | TI 德州仪器 | 宽带，低失真，全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： THS4504DR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.8kV/us 1Channel | 当前型号 | 宽带，低失真，全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS | 当前型号 |
| 型号： THS4505D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.8kV/us 1Channel | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS THS4505D 差分放大器, 宽带, 1 放大器, -7 mV, 1.02 dB, 260 MHz, -40 °C, 85 °C | THS4504DR和THS4505D的区别 |
| 型号： THS4504D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1.8kV/us 1Channel | 类似代替 | 宽带，低失真，全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS | THS4504DR和THS4504D的区别 |
