TK56A12N1,S4XS

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4XS, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 112A 3-Pin TO-220SIS

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220SIS

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

TK56A12N1,S4XS中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 4200pF @60VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK56A12N1,S4XS引脚图与封装图

TK56A12N1,S4XS引脚图

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