TLE2161IDR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
TLE2161IDR中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤80 mA
供电电流 290 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K
带宽 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs
增益频宽积 5.8 MHz
输入补偿电压 600 µV
输入偏置电流 4 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 6.4 MHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLE2161IDR引脚图与封装图 
TLE2161IDR引脚图
TLE2161IDR封装图
TLE2161IDR封装焊盘图
在线购买TLE2161IDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLE2161IDR | TI 德州仪器 | JFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号TLE2161IDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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