锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLE2061IDR

TLE2061IDR

TI(德州仪器) 主动器件

神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET Amplifier 1 Circuit 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2061IDR


德州仪器TI:
Single, 36-V, 2-MHz, In to V+, JFET-input operational amplifier


艾睿:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
High Output CurrentJFET-Input High-Output-Drive uPower Operational Amplifier Op Amp Single GP ツア18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


TLE2061IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 290 µA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 1.80 MHz

转换速率 3.40 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz

输入补偿电压 3.1 mV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 2 MHz

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLE2061IDR引脚图与封装图
TLE2061IDR引脚图

TLE2061IDR引脚图

TLE2061IDR封装图

TLE2061IDR封装图

TLE2061IDR封装焊盘图

TLE2061IDR封装焊盘图

在线购买TLE2061IDR
型号 制造商 描述 购买
TLE2061IDR TI 德州仪器 神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号TLE2061IDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLE2061IDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 2MHz 1Channel 8Pin

当前型号

神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: TL061CDR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1MHz 1Channel 8Pin

类似代替

JFET输入OP

TLE2061IDR和TL061CDR的区别

型号: TL061CD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1MHz 1Channel 8Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  TL061CD  运算放大器, 单路, 1 MHz, 1个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚

TLE2061IDR和TL061CD的区别

型号: TL061ACD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1MHz 1Channel 8Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  TL061ACD  运算放大器, 单路, 1 MHz, 1个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚

TLE2061IDR和TL061ACD的区别