供电电流 950 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 725 mW
输入补偿漂移 1.80 µV/K
带宽 1.70 MHz
转换速率 3.60 V/μs
增益频宽积 2.2 MHz
输入补偿电压 1.1 mV
输入偏置电流 0.7 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 2.2 MHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLC271MDR引脚图
TLC271MDR封装图
TLC271MDR封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLC271MDR | TI 德州仪器 | LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLC271MDR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 3.6V/us 1Channel | 当前型号 | LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | 当前型号 |
| 型号： TLC271CD 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 320kHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLC271CD 运算放大器, 单路, 1.3 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚 | TLC271MDR和TLC271CD的区别 |
| 型号： TLC272IDR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 320kHz 2Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLC272IDR 运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚 | TLC271MDR和TLC272IDR的区别 |
| 型号： TLC271CDR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 320kHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TLC271CDR 单运算放大器 | TLC271MDR和TLC271CDR的区别 |
