TIP111G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 2.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 65 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP111G引脚图与封装图 
TIP111G引脚图
TIP111G封装焊盘图
替代型号TIP111G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP111G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN 80V 2A 2000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR TIP111G 达林顿双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： TIP120G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 5A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP120G. 双极晶体管 | TIP111G和TIP120G的区别 |
| 型号： TIP110G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 2A 2000mW | 类似代替 | 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors | TIP111G和TIP110G的区别 |
| 型号： TIP110 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN PNP 60V 2A 2000mW | 类似代替 | 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors | TIP111G和TIP110的区别 |