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TL084QDR

TL084QDR

TI(德州仪器) 主动器件

四路高压摆率 JFET 输入运算放大器 14-SOIC -40 to 125

J-FET Amplifier 4 Circuit 14-SOIC


立创商城:
TL084QDR


得捷:
IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC


德州仪器TI:
Quad, 30-V, 3-MHz, 13-V/µs slew rate, In to V+, JFET-input op amp


艾睿:
Amplify signals with this simple general purpose amplifier TL084QDR OP amp from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 680 mW. Its typical dual supply voltage is ±5|±9|±12|±15 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±18 V. This op amp has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This device is made with bifet technology. This device uses dual power supplies. It has 4 channels per chip.


安富利:
OP Amp Quad GP ±18V 14-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Quad GP ±18V 14-Pin SOIC T/R


TL084QDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1.4 mA

电路数 4

通道数 4

耗散功率 0.68 W

共模抑制比 80 dB

输入补偿漂移 18.0 µV/K

带宽 3.00 MHz

转换速率 13.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 3 mV

输入偏置电流 30 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 680 mW

共模抑制比Min 80 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TL084QDR引脚图与封装图
TL084QDR引脚图

TL084QDR引脚图

TL084QDR封装图

TL084QDR封装图

TL084QDR封装焊盘图

TL084QDR封装焊盘图

在线购买TL084QDR
型号 制造商 描述 购买
TL084QDR TI 德州仪器 四路高压摆率 JFET 输入运算放大器 14-SOIC -40 to 125 搜索库存
替代型号TL084QDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TL084QDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC-14 3MHz 4Channel 14Pin

当前型号

四路高压摆率 JFET 输入运算放大器 14-SOIC -40 to 125

当前型号

型号: TL084QDG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 14Pin 13V/us 4Channel

完全替代

四路高压摆率 JFET 输入运算放大器 14-SOIC -40 to 125

TL084QDR和TL084QDG4的区别

型号: TL084QD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 3MHz 4Channel 14Pin

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型号: TL084QDRG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 3MHz 4Channel 14Pin

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