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TLE2161CD

TLE2161CD

TI(德州仪器) 主动器件

神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2161CD


德州仪器TI:
Single, 36-V, 6.5-MHz operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 Low Power JFET


艾睿:
If you need your circuit to amplify a voltage signal then this general purpose amplifier TLE2161CD OP amp from Texas Instruments is perfect for you! Its maximum power dissipation is 725 mW. Its typical dual supply voltage is ±5|±9|±12|±15 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±18 V. This op amp has a temperature range of 0 °C to 70 °C. This device uses dual power supplies. This device utilizes bifet technology. It has a single channel per chip.


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Single Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC Tube


Win Source:
IC OPAMP JFET 6.4MHZ 8SOIC


TLE2161CD中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 290 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 5.80 MHz

转换速率 10.0 V/μs

增益频宽积 6.4 MHz

输入补偿电压 600 µV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 6.4 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

TLE2161CD引脚图与封装图
TLE2161CD引脚图

TLE2161CD引脚图

TLE2161CD封装图

TLE2161CD封装图

TLE2161CD封装焊盘图

TLE2161CD封装焊盘图

在线购买TLE2161CD
型号 制造商 描述 购买
TLE2161CD TI 德州仪器 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号TLE2161CD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLE2161CD

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 6.4MHz 1Channel 8Pin

当前型号

神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: TLE2161CDG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 10V/us 1Channel

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