TIP147G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -10.0 A
输出电压 100 V
输出电流 10 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 35.7℃/W RθJA
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
输入电压 5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.3 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP147G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TIP147G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP147G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR TIP147G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 500 hFE 新 | 搜索库存 |
替代型号TIP147G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP147G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-218 PNP -100V -10A 125000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR TIP147G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 500 hFE 新 | 当前型号 |
| 型号： BDV64BG 品牌： 安森美 封装： TO-218 PNP -100V -10A 125000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BDV64BG 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE | TIP147G和BDV64BG的区别 |
| 型号： TIP147 品牌： 安森美 封装： TO-218 PNP -100V -10A | 类似代替 | 达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors | TIP147G和TIP147的区别 |