TIP107G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -8.00 A
输出电压 100 V
输出电流 8 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 62.5℃/W RθJA
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
输入电压 2.8 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
TIP107G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TIP107G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TIP107G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR TIP107G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE | 搜索库存 |
替代型号TIP107G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP107G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -8A 2000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR TIP107G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE | 当前型号 |
| 型号： TIP127G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -5A 2000mW | 完全替代 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | TIP107G和TIP127G的区别 |
| 型号： TIP32CG 品牌： 安森美 封装： TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE | TIP107G和TIP32CG的区别 |
| 型号： 2N6042G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -100V -8A 75000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N6042G. 达林顿双极晶体管 | TIP107G和2N6042G的区别 |