锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TF412ST5G

ON SEMICONDUCTOR  TF412ST5G  晶体管, JFET, -30 V, 1.2 mA, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, JFET

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


欧时:
### N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 30V 10MA SOT883


立创商城:
N 沟道 JFET,30 V,1.2 至 3.0 mA,5.0 mS,SOT-883


贸泽:
JFET NCH J-FET SOT-883


e络盟:
晶体管, JFET, -30 V, 1.2 mA, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, JFET


艾睿:
The unique characteristics of this TF412ST5G JFET from ON Semiconductor make it a versatile electronic component to have in an electronic circuit design. Its maximum power dissipation is 100 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
TF412ST5G N-channel JFET Transistor, 30V, Idss 1.2 - 3mA, 3-Pin SOT-883


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SOT-883 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 30V 10mA Automotive 3-Pin SOT-883 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  TF412ST5G  JFET Transistor, -30 V, 1.2 mA, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, JFET


TF412ST5G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 4pF @10VVds

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883-3

外形尺寸

长度 1.08 mm

宽度 0.68 mm

高度 0.41 mm

封装 SOT-883-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Infrared Sensor Applications, Impedance Conversion, Low-Frequency General-Purpose Amplifier

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

TF412ST5G引脚图与封装图
TF412ST5G引脚图

TF412ST5G引脚图

TF412ST5G封装图

TF412ST5G封装图

TF412ST5G封装焊盘图

TF412ST5G封装焊盘图

在线购买TF412ST5G
型号 制造商 描述 购买
TF412ST5G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  TF412ST5G  晶体管, JFET, -30 V, 1.2 mA, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, JFET 搜索库存