STW8N120K5
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 1.65 Ω
耗散功率 130 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 505pF @100VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130000 mW
引脚数 3
封装 TO-247
封装 TO-247
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STW8N120K5 | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.65 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |