SQR40N10-25_GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SQR40N10-25_GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 3380pF @25VVds
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SQR40N10-25_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQR40N10-25_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQR40N10-25_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO263 | 搜索库存 |
替代型号SQR40N10-25_GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQR40N10-25_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 40A TO263 | 当前型号 |
| 型号： SQR40N10-25-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 | 功能相似 | SQR40N10-25-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 40A, 100V, 3Pin DPAK | SQR40N10-25_GE3和SQR40N10-25-GE3的区别 |
| 型号： SQD40N10-25-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 N-Channel | 功能相似 | TRANSISTOR 40A, 100V, 0.025Ω, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power | SQR40N10-25_GE3和SQD40N10-25-GE3的区别 |
| 型号： SQR50N03-06P-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 N-Channel | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 4Pin3+Tab DPAK | SQR40N10-25_GE3和SQR50N03-06P-GE3的区别 |