SQR50N03-06P-GE3、SQR40N10-25_GE3、SQD40N10-25_GE3对比区别

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型号 SQR50N03-06P-GE3 SQR40N10-25_GE3 SQD40N10-25_GE3

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 4Pin(3+Tab) DPAKMOSFET N-CH 100V 40A TO263MOSFET N-CH 100V 40A TO252

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252 TO-263-3 TO-252-3

漏源极电阻 0.0053 Ω - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 88 W 136W (Tc) 136 W

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 100 V 100 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

输入电容(Ciss) - 3380pF @25V(Vds) 3380pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 136W (Tc) 136W (Tc)

上升时间 - - 11 ns

下降时间 - - 6 ns

封装 TO-252 TO-263-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅