SQD45P03-12_GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SQD45P03-12_GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 71W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 3495pF @15VVds
耗散功率Max 71W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SQD45P03-12_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQD45P03-12_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD45P03-12_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 搜索库存 |
替代型号SQD45P03-12_GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQD45P03-12_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 P-Channel | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 当前型号 |
| 型号： SUD50P04-09L-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： DPAK | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3Pin2+Tab DPAK | SQD45P03-12_GE3和SUD50P04-09L-E3的区别 |
| 型号： SQD50P04-13L-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 P-Channel | 类似代替 | Mosfet, p Channel, w Diode, 40V, 50A, To-252 | SQD45P03-12_GE3和SQD50P04-13L-GE3的区别 |
| 型号： SQD19P06-60L-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 P-Channel | 功能相似 | Single P-Channel 60V 0.055Ω 46W Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | SQD45P03-12_GE3和SQD19P06-60L-GE3的区别 |