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SQD50P04-13L-GE3、SQD45P03-12_GE3、SQD50P04-13L_GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SQD50P04-13L-GE3 SQD45P03-12_GE3 SQD50P04-13L_GE3

描述 Mosfet, p Channel, w Diode, 40V, 50A, To-252MOSFET P-CH 30V 50A TO252MOSFET P-CH 40V 50A

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 83 W 71W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc)

输入电容(Ciss) - 3495pF @15V(Vds) 3590pF @20V(Vds)

耗散功率(Max) - 71W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 30 V -

漏源极电阻 0.01 Ω - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅