SUD19N20-90-T4-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SUD19N20-90-T4-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3W Ta, 136W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
耗散功率Max 3W Ta, 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SUD19N20-90-T4-E3引脚图与封装图
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在线购买SUD19N20-90-T4-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号SUD19N20-90-T4-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUD19N20-90-T4-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： SUD19N20-90-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin2+Tab DPAK | SUD19N20-90-T4-E3和SUD19N20-90-E3的区别 |