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SUD19N20-90-E3、SUD19N20-90-T4-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-T4-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin(2+Tab) DPAKTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 90 mΩ -

耗散功率 3 W 3W (Ta), 136W (Tc)

阈值电压 4 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 136W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 -