SQM100N10-10_GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SQM100N10-10_GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 375 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 8050pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SQM100N10-10_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQM100N10-10_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQM100N10-10_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 100A TO-263 | 搜索库存 |
替代型号SQM100N10-10_GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQM100N10-10_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-263 | 当前型号 |
| 型号： SQM85N10-10-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 功能相似 | MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V | SQM100N10-10_GE3和SQM85N10-10-GE3的区别 |
| 型号： SQM100N10-10-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-263 | SQM100N10-10_GE3和SQM100N10-10-GE3的区别 |