SQM100N10-10-GE3、SQM100N10-10_GE3、SQM85N10-10-GE3对比区别

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型号 SQM100N10-10-GE3 SQM100N10-10_GE3 SQM85N10-10-GE3

描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO-263MOSFET N-CH 100V 100A TO-263MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 - 375 W -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

上升时间 - 14 ns -

输入电容(Ciss) - 8050pF @25V(Vds) -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 375W (Tc) -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free