SI1058X-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1058X-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 236mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 380pF @10VVds
耗散功率Max 236mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-89-6
外形尺寸
封装 SC-89-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1058X-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1058X-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | 搜索库存 |
替代型号SI1058X-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1058X-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-666 | 当前型号 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | 当前型号 |
| 型号： SI1058X-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SC-89 N-Channel 20V 1.3A | 完全替代 | MOSFET N-CH 20V SC89 | SI1058X-T1-E3和SI1058X-T1-GE3的区别 |