SI1058X-T1-E3、SI1058X-T1-GE3对比区别

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型号 SI1058X-T1-E3 SI1058X-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563FMOSFET N-CH 20V SC89

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-89-6 SC-89-6

引脚数 - 6

耗散功率 236mW (Ta) 236mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

输入电容(Ciss) 380pF @10V(Vds) 380pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 236mW (Ta) 236mW (Ta)

极性 - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 1.30 A

封装 SC-89-6 SC-89-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free