SI4336DY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4336DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.6W Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 5600pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4336DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4336DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4336DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4336DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4336DY-E3 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4336DY-T1-E3和SI4336DY-E3的区别 |