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SI4336DY-E3、SI4336DY-T1-E3、SI4336DY对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4336DY-E3 SI4336DY-T1-E3 SI4336DY

描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FETMOSFET N-CH 30V 17A 8-SOICSmall Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - SOIC-8 SOT

耗散功率 - 1.6W (Ta) -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

输入电容(Ciss) - 5600pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.6 W -

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta) -

封装 - SOIC-8 SOT

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -