SI5853DC-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI5853DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 110 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.1W Ta
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -3.60 A
耗散功率Max 1.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 ChipFET-8
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装 ChipFET-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5853DC-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI5853DC-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | 搜索库存 |
替代型号SI5853DC-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5853DC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： ChipFET-8 P-Channel 20V 3.6A 110mΩ | 当前型号 | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | 当前型号 |
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