SCH1332、SI5853DC-T1-E3、SI5855DC-T1-E3对比区别

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型号 SCH1332 SI5853DC-T1-E3 SI5855DC-T1-E3

描述 P-channel Silicon MosfetMOSFET 20V 3.6A 2.1WMOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - ChipFET-8 SMD-8

引脚数 - 8 -

耗散功率 - 1.1W (Ta) 1.1W (Ta)

漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V

耗散功率(Max) - 1.1W (Ta) 1.1W (Ta)

漏源极电阻 - 110 mΩ -

极性 - P-Channel -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) - -3.60 A -

封装 - ChipFET-8 SMD-8

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.65 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free