SIA814DJ-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIA814DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 1.9W Ta, 6.5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 340pF @10VVds
耗散功率Max 1.9W Ta, 6.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA814DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIA814DJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA814DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SIA814DJ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIA814DJ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK-SC70-6 N-Channel 30V 4.5A | 当前型号 | MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V | 当前型号 |
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| 型号： SI3812DV 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP N-Channel 2.4A 125mΩ | 功能相似 | N-Channel MOSFET | SIA814DJ-T1-GE3和SI3812DV的区别 |