SI3812DV-T1-GE3、SIA814DJ-T1-GE3、SI3812DV对比区别

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型号 SI3812DV-T1-GE3 SIA814DJ-T1-GE3 SI3812DV

描述 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOPMOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10VN-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 TSOT-23-6 PowerPAK-SC70-6 TSOP

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 830mW (Ta) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) 830 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 4.50 A 2.40 A

耗散功率(Max) 830mW (Ta) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 340pF @10V(Vds) -

漏源极电阻 - - 125 mΩ

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

封装 TSOT-23-6 PowerPAK-SC70-6 TSOP

长度 - 2.05 mm -

宽度 - 2.05 mm -

高度 - 0.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -