SI7483ADP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 1.9W Ta
漏源极电压Vds 30 V
耗散功率Max 1.9W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7483ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7483ADP-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 | 当前型号 | |
型号: SI7483ADP-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK | 完全替代 | MOSFET 30V 24A 5.4W 5.7mohm @ 10V | SI7483ADP-T1-GE3和SI7483ADP-T1-E3的区别 |