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SI7483ADP-T1-E3、SI7483ADP-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7483ADP-T1-E3 SI7483ADP-T1-GE3

描述 MOSFET 30V 24A 5.4W 5.7mohm @ 10VMOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

耗散功率 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

耗散功率(Max) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free