SI8451DB-T2-E1
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Vishay Siliconix
分立器件
SI8451DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 2.77W Ta, 13W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -10.8 A
输入电容Ciss 750pF @10VVds
耗散功率Max 2.77W Ta, 13W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MicroFoot-6
外形尺寸
长度 2.36 mm
宽度 1.56 mm
高度 0.6 mm
封装 MicroFoot-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8451DB-T2-E1引脚图与封装图
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在线购买SI8451DB-T2-E1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8451DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 10.8A 13W 80mohm @ 4.5V | 搜索库存 |
替代型号SI8451DB-T2-E1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI8451DB-T2-E1 品牌： Vishay Siliconix 封装： MicroFoot-6 P-Channel 20V 10.8A | 当前型号 | MOSFET 20V 10.8A 13W 80mohm @ 4.5V | 当前型号 |
| 型号： SI8499DB-T2-E1 品牌： Vishay Siliconix 封装： MICRO P-Channel | 功能相似 | MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT | SI8451DB-T2-E1和SI8499DB-T2-E1的区别 |