SI8451DB-T2-E1、SI8499DB-T2-E1对比区别

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型号 SI8451DB-T2-E1 SI8499DB-T2-E1

描述 MOSFET 20V 10.8A 13W 80mohm @ 4.5VMOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 MicroFoot-6 Micro-6

漏源极电阻 - 0.026 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 2.77W (Ta), 13W (Tc) 13 W

输入电容(Ciss) 750pF @10V(Vds) 1300pF @10V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V -

连续漏极电流(Ids) -10.8 A -

封装 MicroFoot-6 Micro-6

长度 2.36 mm -

宽度 1.56 mm -

高度 0.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16