耗散功率 3.75W Ta, 100W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 100W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SUM85N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 30V 85A 100W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SUM85N03-06P-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 当前型号 | MOSFET 30V 85A 100W | 当前型号 | |
型号: STB85NF3LLT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 85A 7.5mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.006ohm - 85A - D2PAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.006ohm - 85A - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET | SUM85N03-06P-E3和STB85NF3LLT4的区别 | |
型号: STB85NF3LL 品牌: 意法半导体 封装: | 功能相似 | N沟道30V - 0.006ohm - 85A D2PAK低栅电荷STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩II POWER MOSFET | SUM85N03-06P-E3和STB85NF3LL的区别 |