STB85NF3LLT4、SUM85N03-06P-E3、STB85NF3LL对比区别
型号 STB85NF3LLT4 SUM85N03-06P-E3 STB85NF3LL
描述 N沟道30V - 0.006ohm - 85A - D2PAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.006ohm - 85A - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFETMOSFET 30V 85A 100WN沟道30V - 0.006ohm - 85A D2PAK低栅电荷STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 85.0 A - -
漏源极电阻 7.50 mΩ - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 110W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±16.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 85.0 A - -
上升时间 130 ns - -
输入电容(Ciss) 2210pF @25V(Vds) 3100pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 110 W - -
下降时间 36.5 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free