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SIE836DF-T1-E3、SIE836DF-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAKMOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 PolarPAK-10 PolarPAK-10

耗散功率 5.2W (Ta), 104W (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 1200pF @100V(Vds) 1200pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 5.2W (Ta), 104W (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc)

长度 6.15 mm 6.15 mm

宽度 5.16 mm 5.16 mm

高度 0.8 mm 0.8 mm

封装 PolarPAK-10 PolarPAK-10

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free