SI4831BDY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4831BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 2W Ta, 3.3W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -6.60 A
输入电容Ciss 625pF @15VVds
耗散功率Max 2W Ta, 3.3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4831BDY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4831BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4831BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4831BDY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4831BDY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT P-Channel 30V 6.6A | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4831BDY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT | 完全替代 | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC | SI4831BDY-T1-E3和SI4831BDY-T1-GE3的区别 |