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SI4831BDY-T1-E3、SI4831BDY-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4831BDY-T1-E3 SI4831BDY-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOICMOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

耗散功率 2W (Ta), 3.3W (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 625pF @15V(Vds) 625pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc)

极性 P-Channel -

连续漏极电流(Ids) -6.60 A -

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free