SI4831BDY-T1-E3、SI4831BDY-T1-GE3对比区别
型号 SI4831BDY-T1-E3 SI4831BDY-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOICMOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO-8
耗散功率 2W (Ta), 3.3W (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 625pF @15V(Vds) 625pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
极性 P-Channel -
连续漏极电流(Ids) -6.60 A -
封装 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free